客戶咨詢：
導體
詳解半導體5納米制程技術及成本挑戰(2016-03-01)
導讀：半導體業自28納米進步到22/20納米，受193i光刻機所限，必須采用兩次圖形曝光技術（DP）。再進一步發展至16/14納米時，大多采用finFET技術。 半導體業自28納米進步到22/20納米，受193i光刻機所…[詳情]
美國發現新型二維半導體材料(2016-02-19)
近日，美國猶他大學發現一種新型二維半導體材料一氧化錫。據了解，該材料可用于制備計算機處理器和圖形處理器等電子設備內的晶體管，有助于研制出運行速度更快、更加節約能源的智能手機和計算機等電…[詳情]
半導體所等成功制備立式InSb二維單晶納米片(2016-02-18)
近日，中國科學院半導體研究所半導體超晶格國家重點實驗室研究員趙建華團隊與合作者北京大學教授徐洪起等在《納米快報》（NanoLetters）上發表了高質量立式InSb二維單晶納米片的研究成果。 在III-V…[詳情]
二維半導體光電探測研究取新進展(2016-01-14)
半導體作為很多行業的材料之一，科學家對其的研究將永不停息。日前，利用鐵電聚合物極化對二維半導體帶隙調控及其高性能光電探測方面取得新進展，對光電子器件及電子器件等領域有了推進作用。 中…[詳情]
上海技物所在二維半導體光電探測研究中取得進展(2016-01-12)
中國科學院上海技術物理研究所紅外物理國家重點實驗室胡偉達、王建祿等研究人員在利用鐵電聚合物極化對二維半導體帶隙調控及其高性能光電探測方面取得新進展。相關成果發表在AdvancedMaterials（A…[詳情]
半導體所基于熒光型白光LED實現610Mbps單路實時傳輸(2016-01-07)
中國科學院半導體研究所集成光電子學國家重點實驗室研究員陳弘達、陳雄斌團隊從2008年開始從事可見光通信技術研究，曾主持可見光通信的中國科學院知識創新工程重要方向項目、國家科技支撐計劃世博…[詳情]
二維半導體制備及非線性光學特性研究獲突破(2015-12-31)
日前，我國在二維半導體材料制備、表征及非線性光學特性研究方面取得多項進展。該項目是由中國科學院上海光學精密機械研究所中科院強激光材料重點實驗室研究員王俊課題組研究，在納米片數密度的計算…[詳情]
磁性半導體As取得新突破 為自旋提供新手段(2015-12-25)
磁性半導體在電子元器件一個重要的應用，能控制電子的自旋自由度，并且能提供接近完全的自旋極化，研究人員一直對其進一步的開發，為工業生產提供更好的材料。日前，中國半導體研究所聯合美國研究人員…[詳情]
物理所等半導體量子體系中波函數的磁場調控研究獲進展(2015-12-16)
半導體量子點是三維受限的準零維納米結構，由于量子限制效應，其態密度分布呈現為一系列的分立函數，從而使其具有獨特的光學性質和量子特性。由于半導體自組織InGaAs量子點的生長和加工工藝可以與傳…[詳情]
多組元半導體納米材料的生長設計與光電性能調控研究獲進展(2015-12-14)
半導體納米材料兼具半導體材料和納米材料的諸多優良光電性能，廣泛地應用在微小尺寸晶體管、二極管、高靈敏度光電探測器、高性能太陽能電池、氣體傳感和清潔能源制備等領域，是近年來納米材料領域研究…[詳情]