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硅
上海硅酸鹽所研發(fā)出新型防水耐火紙(2017-01-06)
紙是中國(guó)古代四大發(fā)明之一，紙的發(fā)明結(jié)束了古代簡(jiǎn)牘繁復(fù)的歷史，促進(jìn)了人類(lèi)文化和科學(xué)技術(shù)的傳播與發(fā)展。即使是在科技發(fā)展一日千里的當(dāng)今電子信息時(shí)代，紙?jiān)谌藗兊娜粘９ぷ骱蜕钪腥匀话l(fā)揮著非常重…[詳情]
中國(guó)多晶硅產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)無(wú)序8大跨國(guó)公司壟斷技術(shù)(2017-01-05)
“世界級(jí)光伏產(chǎn)業(yè)基地”。在江西省新余市高新工業(yè)區(qū)的公路上，矗立著這樣一塊廣告牌。粗大的管線、巨大的三氯化硅罐、藍(lán)白的廠房，近2萬(wàn)名忙碌的工人，已投產(chǎn)5000噸多晶硅產(chǎn)量的生產(chǎn)線，賽維…[詳情]
寧波材料所在核用碳化硅連接的尺度效應(yīng)研究中取得進(jìn)展(2017-01-04)
碳化硅及其復(fù)合材料（Siliconcarbideanditscompositematerial，SiCandSiCbasedcomposite）以其低中子吸收截面、良好的抗輻照性能、高溫穩(wěn)定性好以及優(yōu)異的耐腐蝕抗氧化能力成為新一代事故容錯(cuò)型核燃…[詳情]
寧波材料所在連續(xù)碳化硅纖維研究中取得進(jìn)展(2016-12-28)
為了滿足高溫結(jié)構(gòu)材料的要求，碳化硅纖維從最初的高氧含量、富游離碳和低結(jié)晶度（CG-Nicalon）發(fā)展到近化學(xué)計(jì)量比、低氧含量和高結(jié)晶度的第三代產(chǎn)品（Hi-NicalontypeS與TyrannoSA3）。美國(guó)和日本的核能…[詳情]
瓦克化學(xué)將在美新建二氧化硅生產(chǎn)設(shè)施(2016-12-16)
12月14日，德國(guó)瓦克化學(xué)宣布將在美國(guó)田納西州查爾斯頓生產(chǎn)基地添置一套新的氣相二氧化硅生產(chǎn)設(shè)施。 這套年產(chǎn)能為1.3萬(wàn)噸的設(shè)備預(yù)計(jì)需要約1.5億美元的投資。建設(shè)工程將于明年第二季度啟動(dòng)，計(jì)劃于…[詳情]
贏創(chuàng)工業(yè)集團(tuán)耗資6.3億美元收購(gòu)胡貝爾集團(tuán)硅業(yè)務(wù)(2016-12-15)
12月9日，德國(guó)特種化學(xué)品公司贏創(chuàng)工業(yè)集團(tuán)與JM胡貝爾集團(tuán)(JM ) 達(dá)成協(xié)議，將花費(fèi)6.3億美元收購(gòu)后者硅業(yè)務(wù)。交易預(yù)計(jì)將于將在2017年下半年完成。…[詳情]
上海硅酸鹽所鋰/鈉電池開(kāi)框架電極結(jié)構(gòu)合成設(shè)計(jì)獲系列進(jìn)展(2016-12-02)
探索新型電極材料構(gòu)架對(duì)發(fā)展大容量和高倍率的鋰/鈉（離子）電池至關(guān)重要。開(kāi)框架結(jié)構(gòu)不僅有利于快速反應(yīng)鈉離子通道的構(gòu)筑，其結(jié)構(gòu)分解后的產(chǎn)物空間分布優(yōu)化也有利于多電子轉(zhuǎn)換反應(yīng)活性和效率的提高…[詳情]
商務(wù)部:對(duì)韓國(guó)多晶硅進(jìn)行反傾銷(xiāo)期中復(fù)審調(diào)查(2016-11-23)
商務(wù)部11月22日發(fā)布公告，對(duì)原產(chǎn)于韓國(guó)的進(jìn)口太陽(yáng)能級(jí)多晶硅所適用反傾銷(xiāo)措施進(jìn)行期中復(fù)審調(diào)查。 2014年1月20日，商務(wù)部決定自2014年1月20日起，對(duì)原產(chǎn)于美國(guó)和韓國(guó)的進(jìn)口太陽(yáng)能級(jí)多晶硅征收反傾…[詳情]
碳納米晶體管性能首次超越硅晶體管 電量多了1.9倍(2016-11-15)
芯片制造商現(xiàn)在面臨一定的困難，它們要用更小的制程制造更快的CPU，正因如此，芯片企業(yè)已經(jīng)開(kāi)始尋找“硅”的替代品（比如碳納米管），碳納米晶體管已經(jīng)超越了硅晶體管，無(wú)論從電量還是性能上…[詳情]
上海硅酸鹽所ZnO導(dǎo)電陶瓷研究獲進(jìn)展(2016-11-01)
最近，中國(guó)科學(xué)院上海硅酸鹽研究所研究員李國(guó)榮科研團(tuán)隊(duì)在ZnO導(dǎo)電陶瓷研究中取得新進(jìn)展。該團(tuán)隊(duì)通過(guò)晶粒及晶界缺陷設(shè)計(jì)的方法，成功消除了ZnO晶界處的肖特基勢(shì)壘，制備出高導(dǎo)電的ZnO陶瓷，其室溫下的…[詳情]