近日，中國科學院微電子研究所集成電路先導工藝研發中心韋亞一課題組在與武漢新芯集成電路制造公司光刻部門以及計算光刻軟件商ASML和Mentor Graphics合作中，對光源和掩模聯合優化、設計與工藝聯合優化、焦面位置變化的高精度檢測和高精度光刻套刻對準問題進行了聯合攻關，成功開發出產業界適用的解決方法，保證了先進技術節點的光刻工藝穩定性及可制造性。

　　光源和掩模聯合優化是分辨率增強技術中進一步提高光刻分辨率的關鍵技術。SMO根據光刻光學成像模型，采用預畸變方法調整光源形狀及強度分布、修正掩模圖形，調制透過掩模的電磁場分布，從而提高光刻系統的成像性能。基于該技術，課題組與美國賽普拉斯、武漢新芯合作進行“3D-NAND存儲器關鍵層光刻條件確定”項目研發，提出了新型的光源、掩模、設計規則優化方法，進行了相應的實驗研究，不僅確保了3D-NAND典型層的成功制造，而且保證了單次曝光工藝窗口達到100納米，MEEF小于6，缺陷數量在可控范圍內，曝光結果滿足工業制造良率要求，解決了光刻工藝窗口過小的問題。

　　隨著集成電路工業發展到20納米節點以下，傳統的設計師與制造廠之間的單線聯系已不足以支撐發展，設計和工藝聯合優化這一新技術理念應運而生。設計與工藝聯合優化是目前光刻技術，乃至整個芯片制造技術的核心技術。標準的設計與工藝聯合優化方法在我國仍是空白。目前該方面的研究和應用暫時處于不成熟的探索階段。課題組對10納米節點的應用開展了系統研究，提出了設計規則的轉換、版圖分析、模型驗證、熱點分類以及設計規則優化等新的方法論，通過優化設計規則生產適于14/10納米技術節點的友好版圖，以用于先進節點工藝探索與模型建立的研發。該研究進展被選為2016年中國半導體技術大會的邀請報告。

　　光刻工藝穩定性控制是22納米及以下技術節點面臨的關鍵問題，其中焦面位置變化的高精度檢測是實現工藝穩定性良好控制的重要指標。針對現有基于相移掩模的焦面位置檢測方法的精度無法滿足先進光刻工藝需求的問題，課題組創新性地在掩模測量標記的結構中引入透光區、阻光區、180°相移區和90°相移區四種結構（圖3）。利用優化的四種結構寬度比例消除了衍射級次中的+1級和+2級，順利解決了傳統方法在超大NA光學系統中靈敏度系數低的問題，成功將焦面位置檢測靈敏度提高到了。相比現有方法，新型焦面位置測量標記將檢測靈敏度提高了25%以上。

　　高精度光刻套刻對準決定了核心芯片的光刻質量。課題組就產業界提出的先進光刻套刻對準晶圓質量（WQ）問題進行了攻關，成功開發出面向先進光刻工藝的光刻套刻對準仿真平臺，順利解決了不同探測波長、不同薄膜圖層、不同套刻結構對套刻WQ的影響。該仿真結果與193納米光刻機實際量測結果相符，與先進計算光刻某專用商業軟件仿真結果一致。課題組進一步采用簡化仿真算法，提出了幾種新的套刻標記（見圖4），比ASML設計的AH53和AH74衍射對準標記具有更高的第一級、第五級或第七級衍射光強，即新的設計結構具有更高的套刻對準WQ，可獲得更可靠的晶圓套刻質量。該成果已申請專利。

　　上述研究成果得到了合作單位武漢新芯、美國賽普拉斯以及計算光刻軟件商ASML和Mentor Graphics的高度認可，為產業發展做出了重要貢獻。