近日，中國(guó)科學(xué)院微電子研究所科研成果——銦鎵砷（InGaAs）MOSFET射頻開(kāi)關(guān)芯片被國(guó)際半導(dǎo)體雜志Semiconductor Today 進(jìn)行了專題報(bào)道。

　　高遷移率InGaAs MOSFET是在InGaAs HEMT器件的基礎(chǔ)上引入高K介質(zhì)金屬柵技術(shù)發(fā)展起來(lái)的新一代半導(dǎo)體器件，被國(guó)際學(xué)術(shù)界和半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)界認(rèn)為是延展摩爾定律至5納米節(jié)點(diǎn)的主要技術(shù)選擇。微電子所高頻高壓器件與集成研發(fā)中心研究員劉洪剛課題組長(zhǎng)期致力于InGaAs MOSFET器件及其應(yīng)用研究，在國(guó)家科技重大專項(xiàng)、“973”計(jì)劃、國(guó)家自然科學(xué)基金等多項(xiàng)國(guó)家級(jí)課題的支持下，先后在量子阱溝道設(shè)計(jì)、高K介質(zhì)與界面態(tài)控制、關(guān)鍵工藝與硅基異質(zhì)集成、器件模型與電路模擬等方面取得重要進(jìn)展，相關(guān)成果已成功應(yīng)用于面向4G/5G移動(dòng)通信的射頻開(kāi)關(guān)芯片的研究。課題組研制的InGaAs MOSFET射頻開(kāi)關(guān)芯片，在移動(dòng)通信頻段表現(xiàn)出優(yōu)越的射頻開(kāi)關(guān)特性，在0.1-3GHz無(wú)線通信頻段內(nèi)插入損耗為0.27-0.49dB，隔離度達(dá)到35-68dB，比傳統(tǒng)InGaAs HEMT射頻開(kāi)關(guān)具有更高的射頻輸出功率和功率附件效率。該特性使InGaAs MOSFET技術(shù)在5G智能手機(jī)與高速WiFi中具有廣闊的應(yīng)用前景。