3月15日，中國科學院高能物理研究所組織專家對166.6MHz超導高頻腔低溫垂直測試進行了現(xiàn)場測試，該超導腔是高能同步輻射光源驗證裝置（HEPS-TF）中的核心研制內(nèi)容之一。測試專家組由來自于清華大學、北京大學和中科院高能所的專家組成，專家組聽取了課題組的介紹，對166.6MHz超導高頻腔進行了現(xiàn)場測試。

　　測試結果表明，分別在4.2K和2K溫度下，166.6MHz beta=1的超導高頻腔垂直測試已經(jīng)達到了設計目標，并具有較高的Q0值。在4.2K溫度下腔壓達到1.5MV，Q0值為2.4x109（設計目標：1.5MV, Q0>5x108@4.2K）。4.2K下的低場表面電阻為10 nΩ，表面殘余電阻僅為2.3nΩ。

　　166.6MHz超導腔是國際上首個低頻（<200MHz）強流（流強>200mA）高功率（>150kW）beta=1的超導腔，4K和2K的測試結果表明指標均達到了世界領先水平，是HEPS-TF項目的重要里程碑。該腔由北京高能銳新科技有限公司制造，高能所加速器中心高頻組負責完成超導腔的后處理工作。

166.6MHz beta=1的超導高頻腔垂直測試達到設計目標 

166.6MHz超導高頻腔