現(xiàn)有用單晶硅的壓阻效應(yīng)制做的壓力/差壓變送器采用了單晶硅的壓阻轉(zhuǎn)換電信號的檢測方式，將作用在硅傳感元件正壓腔和負(fù)壓腔的壓力變化，使設(shè)置在單晶硅表層的橋臂電阻發(fā)生變化量，經(jīng)壓力/差壓變送器上的低功耗電子電路轉(zhuǎn)換成與被測壓力/差壓量相對應(yīng)的4-20mA電流信號及數(shù)字顯示，由于工業(yè)場合使用的壓力/差壓變送器的測量介質(zhì)本身的靜態(tài)壓力或過載壓力，有可能大大超過單晶硅本身所能承受的壓力，造成單晶硅的損壞。因此要提供一種既能真實(shí)傳導(dǎo)檢測介質(zhì)的壓力又要保護(hù)壓力/差壓變送器的硅傳感元件免受高過載壓力破壞的新型裝置，已成為當(dāng)務(wù)之亟。

　　

　　為了克服現(xiàn)有產(chǎn)品的缺陷，本發(fā)明的目的是要提出結(jié)構(gòu)簡單，使用方便，工作安全和穩(wěn)定的一種保護(hù)壓力/差壓變送器的硅傳感元件免受高過載壓力破壞的新型裝置。

　　

圖為本發(fā)明剖視結(jié)構(gòu)視圖

　　

　　本發(fā)明解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是：一種新型的壓力/差壓變送器耐高過載壓力裝置，特征是：有一個(gè)正壓腔基座，正壓腔基座的側(cè)邊設(shè)置有負(fù)壓腔基座，正壓腔基座和負(fù)壓腔基座內(nèi)端波紋面之間設(shè)置有中心膜片，中心膜片與正壓腔基座和負(fù)壓腔基座的內(nèi)端波紋面外周界錐面固定一起；正壓腔基座和負(fù)壓腔基座的外端波紋面外固定有隔離膜片；正壓腔基座的上端固定有連接件，正壓腔基座伸入至連接件的中間上端設(shè)置有硅傳感器，硅傳感器中心靠下端處設(shè)置有硅片；正壓腔基座內(nèi)外端波紋面軸線上設(shè)置有一端通正壓腔基座外端波紋面、另一端通正壓腔基座內(nèi)端波紋面的下正壓腔引壓孔，正壓腔基座內(nèi)外端波紋面軸線上方設(shè)置有與軸線平行且一端通正壓腔基座內(nèi)端波紋面的中正壓腔引壓孔，正壓腔基座內(nèi)外端波紋面軸線上方設(shè)置有與軸線垂直且一端通正壓腔基座與硅傳感器縫隙、另一端與中正壓腔引壓孔的一端相通的中上正壓腔引壓孔，正壓腔基座中間上方設(shè)置有與中上正壓腔引壓孔垂直且一端通中上正壓腔引壓孔之中、另一端通正壓腔基座外邊的上正壓腔引壓孔。

　　

　　負(fù)壓腔基座內(nèi)外端波紋面軸線上設(shè)置有一端通負(fù)壓腔基座外端波紋面、另一端通負(fù)壓腔基座內(nèi)端波紋面的下負(fù)壓腔引壓孔，負(fù)壓腔基座內(nèi)外端波紋面軸線上方設(shè)置有與軸線平行且一端通負(fù)壓腔基座內(nèi)端波紋面的中負(fù)壓腔引壓孔，負(fù)壓腔基座內(nèi)外端波紋面軸線上方設(shè)置有與中負(fù)壓腔引壓孔垂直且一端通負(fù)壓腔基座和正壓腔基座結(jié)合錐面、另一端與中負(fù)壓腔引壓孔的一端相通的上負(fù)壓腔引壓孔，正壓腔基座中間上方設(shè)置有一端通正壓腔基座和負(fù)壓腔基座結(jié)合錐面、且與上負(fù)壓腔引壓孔通向負(fù)壓腔基座和正壓腔基座結(jié)合錐面處端口重合的下端負(fù)壓腔引壓孔，正壓腔基座中間上方設(shè)置有與中上正壓腔引壓孔平行且一端通正壓腔基座和連接件縫隙、另一端和下端負(fù)壓腔引壓孔的一端相通的中上端負(fù)壓腔引壓孔，正壓腔基座中間上方設(shè)置有與中上端負(fù)壓腔引壓孔垂直、與上正壓腔引壓孔平行且一端通中上端負(fù)壓腔引壓孔之中、另一端通正壓腔基座外邊的上端負(fù)壓腔引壓孔。

　　

　　正壓腔引壓孔和負(fù)壓腔引壓孔中間設(shè)置有硅油；正壓腔基座的內(nèi)端設(shè)置有緊定螺釘，緊定螺釘中心上端設(shè)置有與正壓腔引壓孔和負(fù)壓腔引壓孔配合的密封鋼球。

　　

　　所述的正壓腔基座與負(fù)壓腔基座的內(nèi)端波紋面外周界錐面相互固定，且兩基座內(nèi)與隔離膜片軸向垂直的引壓孔方向一致以及負(fù)壓腔基座的引壓孔出口與負(fù)壓腔基座的引壓孔在正壓腔基座上的部分進(jìn)口一致對準(zhǔn)。

　　

　　所述的正壓側(cè)基座與負(fù)壓側(cè)基座的基座外端波紋面與隔離膜片之間、引壓孔內(nèi)、兩基座內(nèi)端波紋面與中心膜片之間、正壓腔基座與硅傳感器之間及硅傳感器與螺紋連接件縫隙形成的腔體內(nèi)設(shè)置有硅油。

　　

　　本發(fā)明在正壓腔中心及內(nèi)部設(shè)置有正壓腔引壓孔的基座外端波紋面外固定有隔離膜片；負(fù)壓腔中心及內(nèi)部設(shè)置有負(fù)壓腔引壓孔的基座外端波紋面外固定有隔離膜片；正壓腔基座的上方外周固定有用連接件的連接件；連接件的內(nèi)部正壓腔基座的上方固定有硅傳感器；硅傳感器上面外周界固定在連接件內(nèi)。

　　

　　本發(fā)明基座隔離膜片、中心膜片、硅傳感器、連接件為金屬材料。引壓孔、波紋面是由機(jī)械加工完成的。固定是由焊接固定的。硅油是經(jīng)高溫、高真空下處理過的硅油灌注的。

　　

　　本發(fā)明的有益效果是：由于本發(fā)明解決了壓力/差壓變送器的硅傳感元件免受高過載壓力破壞的新型結(jié)構(gòu)。當(dāng)正常待測介質(zhì)的壓力作用于兩邊隔離膜片上，一邊經(jīng)正壓腔基座內(nèi)的硅油傳遞到硅傳感器內(nèi)硅片的正壓受壓面，另一邊經(jīng)負(fù)壓基腔座內(nèi)的硅油傳遞到硅傳感器內(nèi)硅片的負(fù)壓受壓面。當(dāng)待測介質(zhì)的壓力超出壓力/差壓變送器正常測量的壓力時(shí)，正壓腔基座、負(fù)壓腔基座兩邊的隔離膜片會(huì)貼住正壓腔基座、負(fù)壓腔基座中心的引壓孔，這樣就阻隔了壓力的傳遞，也就實(shí)現(xiàn)了壓力/差壓變送器的硅傳感元件免受高過載壓力破壞的新型結(jié)構(gòu)。

　　

　　編輯點(diǎn)評

　　

　　新型差壓變送器耐高過載壓力裝置的結(jié)構(gòu)能夠有效地解決了壓力/差壓變送器的硅傳感元件免受高過載壓力破壞。同時(shí)具有結(jié)構(gòu)簡單，使用方便，工作安全和穩(wěn)定等優(yōu)點(diǎn)。希望新型差壓變送器耐高過載壓力裝置此次獲得國家發(fā)明授權(quán)專利之后能為保護(hù)壓力/差壓變送器的硅傳感元件免受高過載壓力破壞做出貢獻(xiàn)。

　　

　　（原標(biāo)題：【儀表最新專利】新型差壓變送器耐高過載壓力裝置）