SiC器件測試設備的簡單介紹

SiC器件測試設備的詳細信息

華科智源hustec-1600a-mt靜態參數測試儀可用于多種封裝形式的 igbt測試，還可以測量大功率二極管 、igbt模塊，大功率 igbt、大功率雙極型晶體管，mos管等器件的 v-i 特性測試，測試1200a可擴展至2000a，5000v以下的各種功率器件，廣泛應用于軌道交通，電動汽車 ，風力發電，變頻器，焊機行業的igbt來料選型和失效分析，設備還可以用于變頻器，風電，軌道交通，電焊機等行業的在線檢修，無需從電路板上取下來進行單獨測試，可實現在線igbt檢測，測試方便，測試過程簡單，既可以在測試主機里設置參數直接測試，又可以通過軟件控制主機編程后進行自動測試，通過電腦操作完成 igbt 的靜態參數測試；

測試參數：

ices 集電極-發射極漏電流

igesf 正向柵極漏電流

igesr 反向柵極漏電流

bvces 集電極-發射極擊穿電壓

vgeth 柵極-發射極閾值電壓

vcesat 集電極-發射極飽和電壓

icon 通態電極電流

vgeon 通態柵極電壓

vf 二極管正向導通壓降

整個測試過程自動完成，電腦軟件攜帶數據庫管理查詢功能，可生成測試曲線，方便操作使用

1)物理規格

設備尺寸：500寬x 450深x 250高mm；

：30kg

2)環境要求

海拔高度：海拔不超過1000m；

儲存環境：-20℃～50℃；

工作環境：15℃～40℃。

相對濕度：20%rh ~ 85%rh；

壓力：86kpa～106kpa。

防護：無較大灰塵，腐蝕性氣體，導電粉塵等空氣污染的損害；

3)水電氣用電要求：ac220v，±10%；

電網頻率：50hz±1hz

以上是SiC器件測試設備的詳細信息，如果您對SiC器件測試設備的價格、廠家、型號、圖片有任何疑問，請聯系我們獲取SiC器件測試設備的最新信息