產地：深圳
規格：1) 物理規格 設備尺寸：500（寬）x 450（深）x 250（高）mm； 質量：30kg 2) 環境要求 海拔高度：海拔不超過 1000m； 儲存環境：-20℃～50℃； 工作環境：15℃～40℃。 相對濕度：20%RH ~
公司所在地：廣東深圳
電話：13008867918
半導體靜態參數測試的簡單介紹華科智源功率器件測試儀，測試二極管 、IGBT，MOS管，SIC器件靜態參數，并生產器件傳輸曲線和轉移曲線，測試1600A，5000V以下的各種功率器件，廣泛應用于器件設計，封裝測試，軌道交通半導體靜態參數測試的詳細信息HUSTEC華科智源 HUSTEC-1600A-MT SiC器件測試儀/設備
一：SiC器件測試儀/設備主要特點 華科智源HUSTEC-1600A-MT靜態測試儀可用于多種封裝形式的 IGBT測試，還可以測量大功率二極管 、IGBT模塊，大功率 IGBT、大功率雙極型晶體管MOS管等器件的 V-I 特性測試，測試600A（可擴展至2000A），5000V以下的各種功率器件，廣泛應用于軌道交通，電動汽車 ，風力發電，變頻器，焊機行業的IGBT來料選型和失效分析，設備還可以用于變頻器，風電，軌道交通，電焊機等行業的在線檢修，無需從電路板上取下來進行單獨測試，可實現在線IGBT檢測，測試方便，測試過程簡單，既可以在測試主機里設置參數直接測試，又可以通過軟件控制主機編程后進行自動測試，通過電腦操作完成 IGBT 的靜態參數測試；
SiC器件測試儀/設備測試參數： ICES 集電極-發射極漏電流 IGESF 正向柵極漏電流 IGESR 反向柵極漏電流 BVCES 集電極-發射極擊穿電壓 VGETH 柵極-發射極閾值電壓 VCESAT 集電極-發射極飽和電壓 ICON 通態電極電流 VGEON 通態柵極電壓 VF 二極管正向導通壓降 整個測試過程自動完成，電腦軟件攜帶數據庫管理查詢功能，可生成測試曲線，方便操作使用。
二：華科智源SiC器件測試儀/設備應用范圍 A：IGBT單管及模塊， B：大功率場效應管（Mosfet） C：大功率二極管 D：標準低阻值電阻 E：軌道交通，風力發電，新能源汽車，變頻器，焊機等行業篩選以及在線故障檢測
三、華科智源SiC器件測試儀/設備特征： A：測量多種IGBT、MOS管 B：脈沖電流1200A，電壓5KV，測試范圍廣； C：脈沖寬度 50uS~300uS D：Vce測量精度2mV E：Vce測量范圍>10V F：電腦圖形顯示界面 G：智能保護被測量器件 H：上位機攜帶數據庫功能 I：MOS IGBT內部二極管壓降 J : 一次測試IGBT全部靜態參數 K: 生成測試曲線（IV曲線直觀看到IGBT特性，可以做失效分析以及故障定位） L:可以進行不同曲線的對比，觀測同一批次產品的曲線狀態，或者不同廠家同一規格參數的曲線對比；
測試參數： ICES 集電極-發射極漏電流 IGESF 正向柵極漏電流 IGESR 反向柵極漏電流 BVCES 集電極-發射極擊穿電壓 VGETH 柵極-發射極閾值電壓 VCESAT 集電極-發射極飽和電壓 ICON 通態電極電流 VGEON 通態柵極電壓 VF 二極管正向導通壓降 IGBT靜態參數測試儀整個測試過程自動完成，電腦軟件攜帶數據庫管理查詢功能，可生成測試曲線，方便操作使用
1) 物理規格 設備尺寸：500（寬）x 450（深）x 250（高）mm； 質量：30kg 2) 環境要求 海拔高度：海拔不超過 1000m； 儲存環境：-20℃～50℃； 工作環境：15℃～40℃。 相對濕度：20%RH ~ 85%RH ； 大氣壓力：86Kpa～ 106Kpa。 防護：無較大灰塵，腐蝕或爆炸性氣體，導電粉塵等空氣污染的損害； 3) 水電氣 用電要求：AC220V，±10%； 電網頻率：50Hz±1Hz 以上是半導體靜態參數測試的詳細信息，如果您對半導體靜態參數測試的價格、廠家、型號、圖片有任何疑問，請聯系我們獲取半導體靜態參數測試的最新信息 |
