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半導體器件測試儀

產地：

規格：1) 物理規格設備尺寸：500（寬）x 450（深）x 250（高）mm；質量：30kg 2) 環境要求海拔高度：海拔不超過 1000m；儲存環境：-20℃～50℃；工作環境：15℃～40℃。相對濕度：20%RH ~

公司所在地：廣東深圳

電話：13008867918

詳細信息

半導體器件測試儀的簡單介紹

華科智源功率器件測試儀，測試二極管、IGBT，MOS管，SIC器件靜態參數，并生產器件傳輸曲線和轉移曲線，測試1600A，5000V以下的各種功率器件，廣泛應用于器件設計，封裝測試

半導體器件測試儀的詳細信息

HUSTEC華科智源

HUSTEC-1600A-MT

半導體器件測試儀

一：半導體器件測試儀主要特點

華科智源HUSTEC-1600A-MT靜態測試儀可用于多種封裝形式的 IGBT測試，還可以測量大功率二極管、IGBT模塊，大功率 IGBT、大功率雙極型晶體管MOS管等器件的 V-I 特性測試，測試600A（可擴展至2000A），5000V以下的各種功率器件，廣泛應用于軌道交通，電動汽車，風力發電，變頻器，焊機行業的IGBT來料選型和失效分析，設備還可以用于變頻器，風電，軌道交通，電焊機等行業的在線檢修，無需從電路板上取下來進行單獨測試，可實現在線IGBT檢測，測試方便，測試過程簡單，既可以在測試主機里設置參數直接測試，又可以通過軟件控制主機編程后進行自動測試，通過電腦操作完成 IGBT 的靜態參數測試；

SiC器件測試儀/設備測試參數：

ICES 集電極-發射極漏電流

IGESF 正向柵極漏電流

IGESR 反向柵極漏電流

BVCES 集電極-發射極擊穿電壓

VGETH 柵極-發射極閾值電壓

VCESAT 集電極-發射極飽和電壓

ICON 通態電極電流

VGEON 通態柵極電壓

VF 二極管正向導通壓降

整個測試過程自動完成，電腦軟件攜帶數據庫管理查詢功能，可生成測試曲線，方便操作使用。

二：華科智源SiC器件測試儀/設備應用范圍

A：IGBT單管及模塊，

B：大功率場效應管（Mosfet）

C：大功率二極管

D：標準低阻值電阻

E：軌道交通，風力發電，新能源汽車，變頻器，焊機等行業篩選以及在線故障檢測

三、華科智源SiC器件測試儀/設備特征：

A：測量多種IGBT、MOS管

B：脈沖電流1200A，電壓5KV，測試范圍廣；

C：脈沖寬度 50uS~300uS

D：Vce測量精度2mV

E：Vce測量范圍>10V

F：電腦圖形顯示界面

G：智能保護被測量器件

H：上位機攜帶數據庫功能

I：MOS IGBT內部二極管壓降

J : 一次測試IGBT全部靜態參數

K: 生成測試曲線（IV曲線直觀看到IGBT特性，可以做失效分析以及故障定位）

L:可以進行不同曲線的對比，觀測同一批次產品的曲線狀態，或者不同廠家同一規格參數的曲線對比；

序號	測試項目	描述	測量范圍	分辨率	精度
1	VF	二極管正向導通壓降	0~20V	1mV	±1%,±1mV
2	IF	二極管正向導通電流	0~1200A	≤200A時,0.1A	≤200A時,±1%±0.1A
3	IF	二極管正向導通電流	0~1200A	＞200A時,1A	＞200A時,±1%
4	Vces	集電極-發射極電壓	0~5000V	1V	±1%,±1V
5	Ic	通態集電極電流	0~1200A	≤200A時,0.1A	≤200A時,±1%±0.1A
6	Ic	通態集電極電流	0~1200A	＞200A時,1A	＞200A時,±1%
7	Ices	集電極-發射極漏電流	0~50mA	1nA	±1%,±10μA
8	Vgeth	柵極-發射極閾值電壓	0~20V	1mV	±1%,±1mV
9	Vcesat	集電極-發射極飽和電壓	0~20V	1mV	±1%,±1mV
10	Igesf	正向柵極漏電流	0~10uA	1nA	±2%,±1nA
11	Igesr	反向柵極漏電流	0~10uA	1nA	±2%,±1nA
12	Vges	柵極發射極電壓	0~40V	1mV	±1%,±1mV