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功率半導體動態參數測試設備的簡單介紹是一款專用于MOSFET、IGBT、SiCMOS等器件的動態參數測試，能夠安全便捷的測試功率器件的開關延時和損耗，評估器件的安全工作區，對器件和驅動電路的短路保護特性進行驗證，測量功率組件的雜散電感功率半導體動態參數測試設備的詳細信息功率半導體動態參數測試設備特點 高電壓達2000V（最大擴展至8kV） 大電流達2000A（可擴展至6000A） 低寄生電感設計：＜20nH寄生電感 安全防護機制：集成防爆、過流/過壓保護 全功能測試覆蓋：支持DPT、RBSOA、 SCSOA、Qg等參數 自動化與智能化，負載電感自動切換 溫度范圍廣：可選高溫模塊(常溫-200℃)或熱流儀(-40℃-200℃) 兼容多種封裝，可根據測試需求定制夾具 測試參數 開通特性：開通延時時間td(on)、開通上升時間tr、開通時間ton、開通能量損耗E(on)、開通電壓斜率dv/dt、開通電流斜率di/dt、Id vs.t、Vds vs.t、Vgs vs.t、Ig vs.t 關斷特性：關斷延時時間td(off)、關斷上升時間tf、關斷時間toff、關斷能量損耗E(off)、關斷電壓斜率dv/dt、 關斷電流斜率di/dt、Id vs. t、Vds vs. t、Vgs vs. t、Ig vs.t 反向恢復特性：反向恢復時間trr、反向恢復電荷Qrr、反向恢復能量Err、最大反向恢復電流Irrm、反向恢復電壓斜率dv/dt、反向恢復電流斜率di/dt、反向恢復電流特性Id vs.t 短路特性：短路時間Tsc、短路飽和電流Iscsat、Vce尖峰 VCEmax、短路能量Esc、短路功率Psc 柵極電荷：總柵極電荷Qg、閾值柵極電荷Qgs(th)、柵源電荷Qgs、柵漏電荷Qgd、柵極申荷曲線Vgs vs.t 反偏安全工作區：關斷電壓尖峰VCE—peak、關斷電流尖峰lc、Vce vs.t、lc vs.t PMDT功率半導體動態參數測試設備是一款專用于MOSFET、IGBT、SiC MOS等器件的動態參數測試，能夠安全便捷的測試功率器件的開關延時和損耗，評估器件的安全工作區，對器件和驅動電路的短路保護特性進行驗證，測量功率組件的雜散電感。設備既可以用于功率器件選型評估，又可以用于驅動電路和功率母排的優化設計，能夠幫助用戶開發性能更優化、工作更可靠的電力電子功率平臺。主要由雙脈沖信號發生器，高分辨率示波器，高壓電流探頭，高壓電源、母線電容、低雜感母排、自動化測試軟件以及配套測試工裝組成。系統配備多種測試驅動板，可覆蓋開關參數測試、柵極電荷測試、短路測試、雪崩測試等，單次測試即可完成開關特性及反向恢復特性測試；具備數據管理功能，可實時保存測試結果及波形曲線，自動生成測試報告 以上是功率半導體動態參數測試設備的詳細信息，如果您對功率半導體動態參數測試設備的價格、廠家、型號、圖片有任何疑問，請聯系我們獲取功率半導體動態參數測試設備的最新信息 |
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