根據霍爾系數及其與溫度的關系可以計算載流子的濃度，以及載流子濃度同溫度的關系，由此可以確定材料的禁帶寬度和雜質電離能；通過霍爾系數和電阻率的聯合測量能夠確定載流子的遷移率，用微分霍爾效應法可測縱向載流子濃度分布；測量低溫霍爾效應可以確定雜質補償度。與其他測試不同的是霍爾參數測試中測試點多、 連接繁瑣，計算量大，需外加溫度和磁場環境等特點，在此前提下，手動測試是不可能完成的。

普賽斯儀表開發的霍爾效應測試系統可以實現幾千到至幾萬點的多參數自動切換測量，系統由S系列國產源表，2700矩陣開關和S型測試軟件等組成。可在不同的磁場、溫度和電流下根據測試結果計算出電阻率、霍爾系數、載流子濃度和霍爾遷移率，并繪制曲線圖。在半導體制程的晶圓基片和離子注入等階段，或者封裝好的霍爾器件需要做霍爾效應的測試。

測試材料

·半導體材料:SiGe, SiC,InAs, InGaAs, InP，AlGaAs, HgCdTe和鐵氧體材料等

·高阻抗材料:半絕緣的GaAs, GaN,CdTe等

·低阻抗材料:金屬、透明氧化物、弱磁性半導體材料、TMR材料等

需要測試的參數：

電阻率

霍爾系數

載流子濃度

霍爾遷移率特性曲線

需要的儀器列表：

國產S型源表

開關

變溫器

可變磁場

軟件

數字源表測半導體材料霍爾效應認準普賽斯儀表咨詢，武漢普賽斯一直專注于半導體的電性能測試儀表開發,基于核心算法和系統集成等技術平臺優勢,率先自主研發了高精度數字源表、脈沖式源表、大電流脈沖電源、集成插卡式源表、功率器件測試設備等產品,廣泛應用在半導體器件材料的分析測試領域。欲了解更多普賽斯儀表產品信息，歡迎隨時來電咨詢！